资产有息负债率是衡量公司的财务实力的指标。它是由公司的有息负债除以该公司的资产总计而得。截至2023年12月， Tower半导体 过去一季度短期借款和资本化租赁债务为 $ 59，过去一季度长期借款和资本化租赁债务为 $ 173，过去一季度资产总计为 $ 2919，所以 Tower半导体 过去一季度的 资产有息负债率 为 0.08。

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Tower半导体资产有息负债率（TSEM 资产有息负债率）历史数据

Tower半导体 资产有息负债率的历史年度，季度/半年度走势如下：

Tower半导体资产有息负债率年度数据
日期	2014-12	2015-12	2016-12	2017-12	2018-12	2019-12	2020-12	2021-12	2022-12	2023-12
资产有息负债率	0.44	0.30	0.25	0.20	0.15	0.16	0.19	0.14	0.11	0.08

Tower半导体资产有息负债率季度数据
日期	2021-09	2021-12	2022-03	2022-06	2022-09	2022-12	2023-03	2023-06	2023-09	2023-12
资产有息负债率	0.15	0.14	0.12	0.12	0.11	0.11	0.10	0.09	0.08	0.08

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

在半导体（三级行业）中，Tower半导体 资产有息负债率与其他类似公司的比较如下：

* 选自同一行业，市值最接近的公司；x轴代表市值，y轴代表资产有息负债率数值；点越大，公司市值越大。

Tower半导体资产有息负债率（TSEM 资产有息负债率）分布区间

在半导体（二级行业）和科技（一级行业）中，Tower半导体 资产有息负债率的分布区间如下：

* x轴代表资产有息负债率数值，y轴代表落入该资产有息负债率区间的公司数量；红色柱状图代表Tower半导体的资产有息负债率所在的区间。

Tower半导体资产有息负债率（TSEM 资产有息负债率）计算方法

资产有息负债率是衡量公司财务杠杆的重要指标之一。

截至2023年12月，Tower半导体过去一年的资产有息负债率为：

资产有息负债率	=	年度总有息负债			/	年度资产总计
	=	（年度短期借款和资本化租赁债务	+	年度长期借款和资本化租赁债务）	/	年度资产总计
	=	（59	+	173）	/	2919
	=	0.08

截至2023年12月，Tower半导体 过去一季度的资产有息负债率为：

资产有息负债率	=	季度总有息负债			/	季度资产总计
	=	（季度短期借款和资本化租赁债务	+	季度长期借款和资本化租赁债务）	/	季度资产总计
	=	（59	+	173）	/	2919
	=	0.08

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

Tower半导体资产有息负债率（TSEM 资产有息负债率）解释说明

在计算资产有息负债率时，我们将短期借款和资本化租赁债务与长期借款和资本化租赁债务的总和除以资产总计。某些网站会使用负债合计进行计算，详情请见资产负债率。

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