拓荆科技 毛利率 % : 47.31% (2024年3月 最新)
拓荆科技毛利率 %(Gross Margin %)的相关内容及计算方法如下:
毛利率 % 由 毛利润 除以该公司的 营业收入 而得。截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度 毛利润 为 ¥ 223, 过去一季度 营业收入 为 ¥ 472, 所以 拓荆科技 过去一季度 的 毛利率 % 为 47.31%。
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截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度 的 毛利率 % 为 47.31%, 说明公司具有持续的竞争优势, 详情请见“解释说明”。
拓荆科技的 5年毛利率增长率 % 为 11.90% ∕ 每年。
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拓荆科技 毛利率 % (688072 毛利率 %) 历史数据
拓荆科技 毛利率 % 年度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2018-12 | 2019-12 | 2020-12 | 2021-12 | 2022-12 | 2023-12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
毛利率 % | 31.67 | 31.85 | 34.06 | 44.01 | 49.27 | 51.01 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
拓荆科技 毛利率 % 季度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2021-12 | 2022-03 | 2022-06 | 2022-09 | 2022-12 | 2023-03 | 2023-06 | 2023-09 | 2023-12 | 2024-03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
毛利率 % | 42.28 | 47.44 | 46.58 | 50.07 | 50.58 | 49.78 | 49.19 | 51.67 | 52.13 | 47.31 |
拓荆科技 毛利率 % (688072 毛利率 %) 行业比较
拓荆科技 毛利率 % (688072 毛利率 %) 分布区间
拓荆科技 毛利率 % (688072 毛利率 %) 计算方法
毛利率 %是 毛利润 除以 营业收入 的比率,通常以百分比表示。
截至2023年12月,拓荆科技过去一年的毛利率 %为:
截至2024年3月,拓荆科技 过去一季度 的毛利率 %为:
拓荆科技 毛利率 % (688072 毛利率 %) 解释说明
毛利率 %大于0只是公司获得净利润的第一步。 毛利润 必须大到足以覆盖相关的人工,设备,租金,市场营销及广告,研究与开发等许多产品销售的其他成本。
沃伦·巴菲特(Warren Buffett)认为,长期经济状况良好的公司往往会获得更高的毛利率 %。
持续竞争优势往往会产生更高的毛利率 %。因此公司可以按毛利率 %分为以下几类:
a. 毛利率 %大于40% --> 持续竞争优势
b. 毛利率 %介于20%和40%之间 --> 竞争优势下降
c. 毛利率 %低于20% --> 不可持续的竞争优势
截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度 的 毛利率 % 为 47.31%, 说明公司具有持续的竞争优势。
拓荆科技 毛利率 % (688072 毛利率 %) 注意事项
毛利率 %的一致性是关键。如果一家公司失去竞争优势,通常其毛利率 %下降会早于 营业收入 的下降。请密切关注毛利率 %和 营业利润率 % ,以避免遇到价值陷阱的情况。
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拓荆科技 (688072) 公司简介
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。