拓荆科技 在建工程 : ¥ 168 (2024年3月 最新)

* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技在建工程(Construction In Progress)的相关内容及计算方法如下:

在建工程记录了尚未完成的建筑工程成本(通常应用于资本预算项目)。在建筑投入使用之前,它不会折旧。通常,在建筑完成时,在建工程将重新分类,并将重新分类的资产资本化和折旧。
截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度在建工程 为 ¥ 168。

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拓荆科技 在建工程 (688072 在建工程) 历史数据

拓荆科技 在建工程的历史年度,季度/半年度走势如下:
拓荆科技 在建工程 年度数据
日期 2018-12 2019-12 2020-12 2021-12 2022-12 2023-12
在建工程 - - - 73.32 10.60 116.54
拓荆科技 在建工程 季度数据
日期 2021-12 2022-03 2022-06 2022-09 2022-12 2023-03 2023-06 2023-09 2023-12 2024-03
在建工程 73.32 81.36 98.98 148.12 10.60 32.69 61.10 84.41 116.54 168.17
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技 在建工程 (688072 在建工程) 解释说明

在建工程记录了尚未完成的建筑工程成本(通常应用于资本预算项目)。在建筑投入使用之前,它不会折旧。通常,在建筑完成时,在建工程将重新分类,并将重新分类的资产资本化和折旧。

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拓荆科技 (688072) 公司简介

一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。