拓荆科技 资产有息负债率 : 0.24 (2024年3月 最新)

* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技资产有息负债率(Debt-to-Asset)的相关内容及计算方法如下:

资产有息负债率是衡量公司的财务实力的指标。它是由公司的有息负债除以该公司的 资产总计 而得。截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度 短期借款和资本化租赁债务 为 ¥ 155, 过去一季度 长期借款和资本化租赁债务 为 ¥ 2433, 过去一季度 资产总计 为 ¥ 10928, 所以 拓荆科技 过去一季度资产有息负债率 为 0.24。

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拓荆科技 资产有息负债率 (688072 资产有息负债率) 历史数据

拓荆科技 资产有息负债率的历史年度,季度/半年度走势如下:
拓荆科技 资产有息负债率 年度数据
日期 2018-12 2019-12 2020-12 2021-12 2022-12 2023-12
资产有息负债率 0.03 - - 0.00 0.09 0.20
拓荆科技 资产有息负债率 季度数据
日期 2021-12 2022-03 2022-06 2022-09 2022-12 2023-03 2023-06 2023-09 2023-12 2024-03
资产有息负债率 0.00 0.00 - - 0.09 0.12 0.12 0.15 0.20 0.24
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

半导体仪器和材料(三级行业)中,拓荆科技 资产有息负债率与其他类似公司的比较如下:
* 选自同一行业,市值最接近的公司;x轴代表市值,y轴代表资产有息负债率数值;点越大,公司市值越大。

拓荆科技 资产有息负债率 (688072 资产有息负债率) 分布区间

半导体(二级行业)和科技(一级行业)中,拓荆科技 资产有息负债率的分布区间如下:
* x轴代表资产有息负债率数值,y轴代表落入该资产有息负债率区间的公司数量;红色柱状图代表拓荆科技的资产有息负债率所在的区间。

拓荆科技 资产有息负债率 (688072 资产有息负债率) 计算方法

资产有息负债率是衡量公司财务杠杆的重要指标之一。
截至2023年12月拓荆科技过去一年的资产有息负债率为:
资产有息负债率 = 年度 总有息负债 / 年度 资产总计
= (年度 短期借款和资本化租赁债务 +年度 长期借款和资本化租赁债务 / 年度 资产总计
= (137 +1873) / 9969
= 0.20
截至2024年3月拓荆科技 过去一季度资产有息负债率为:
资产有息负债率 = 季度 总有息负债 / 季度 资产总计
= ( 季度 短期借款和资本化租赁债务 + 季度 长期借款和资本化租赁债务 / 季度 资产总计
= (155 +2433) / 10928
= 0.24
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技 资产有息负债率 (688072 资产有息负债率) 解释说明

在计算资产有息负债率时,我们将 短期借款和资本化租赁债务 长期借款和资本化租赁债务 的总和除以 资产总计 。某些网站会使用 负债合计 进行计算,详情请见 资产负债率

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拓荆科技 (688072) 公司简介

一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。