华虹公司 债务股本比率 : 0.34 (2023年12月 最新)

* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

华虹公司债务股本比率(Debt-to-Equity)的相关内容及计算方法如下:

债务股本比率是衡量公司的财务实力的指标。它是由公司的债务除以该公司的 归属于母公司所有者权益合计 而得。截至2023年12月, 华虹公司 过去一季度 短期借款和资本化租赁债务 为 $ 196.11, 过去一季度 长期借款和资本化租赁债务 为 $ 1925.66, 过去一季度 归属于母公司所有者权益合计 为 $ 6301.00, 所以 华虹公司 过去一季度债务股本比率 为 0.34。
较高的债务股本比率可能意味着公司一直在激进地通过债务为其业务增长融资。额外的利息支出可能会导致收益波动。

华虹公司债务股本比率或其相关指标的历史排名和行业排名结果如下所示:

在过去十年内, 华虹公司债务股本比率
最小值:0.01  中位数:0.15  最大值:0.64
当前值:0.34
半导体内的 564 家公司中
华虹公司债务股本比率 排名低于同行业 58.51% 的公司。
当前值:0.34  行业中位数:0.25

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华虹公司 债务股本比率 (HHGGY 债务股本比率) 历史数据

华虹公司 债务股本比率的历史年度,季度/半年度走势如下:
华虹公司 债务股本比率 年度数据
日期 2014-12 2015-12 2016-12 2017-12 2018-12 2019-12 2020-12 2021-12 2022-12 2023-12
债务股本比率 0.18 0.12 0.06 0.06 0.01 0.02 0.23 0.56 0.64 0.34
华虹公司 债务股本比率 季度数据
日期 2020-06 2020-12 2021-06 2021-12 2022-06 2022-09 2022-12 2023-06 2023-09 2023-12
债务股本比率 0.02 0.23 0.29 0.56 0.55 0.64 0.64 0.58 0.32 0.34
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

半导体(三级行业)中,华虹公司 债务股本比率与其他类似公司的比较如下:
* 选自同一行业,市值最接近的公司;x轴代表市值,y轴代表债务股本比率数值;点越大,公司市值越大。

华虹公司 债务股本比率 (HHGGY 债务股本比率) 分布区间

半导体(二级行业)和科技(一级行业)中,华虹公司 债务股本比率的分布区间如下:
* x轴代表债务股本比率数值,y轴代表落入该债务股本比率区间的公司数量;红色柱状图代表华虹公司的债务股本比率所在的区间。

华虹公司 债务股本比率 (HHGGY 债务股本比率) 计算方法

债务股本比率是衡量公司财务杠杆的重要指标之一。
截至2023年12月华虹公司过去一年的债务股本比率为:
债务股本比率 = 年度 总负债 / 年度 归属于母公司所有者权益合计
= (年度 短期借款和资本化租赁债务 +年度 长期借款和资本化租赁债务 / 年度 归属于母公司所有者权益合计
= (196.11 +1925.66) / 6301.00
= 0.34
截至2023年12月华虹公司 过去一季度债务股本比率为:
债务股本比率 = 季度 总负债 / 季度 归属于母公司所有者权益合计
= ( 季度 短期借款和资本化租赁债务 + 季度 长期借款和资本化租赁债务 / 季度 归属于母公司所有者权益合计
= (196.11 +1925.66) / 6301.00
= 0.34
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

华虹公司 债务股本比率 (HHGGY 债务股本比率) 解释说明

在计算债务股本比率时,我们将 短期借款和资本化租赁债务 长期借款和资本化租赁债务 的总和除以 归属于母公司所有者权益合计 。某些网站会使用 负债合计 进行计算。

华虹公司 债务股本比率 (HHGGY 债务股本比率) 注意事项

因为公司可以通过拥有更大的财务杠杆来提高 股本回报率 ROE % ,所以在投资于 股本回报率 ROE % 高的公司时,务必要注意杠杆率。

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华虹公司 (HHGGY) 公司简介

一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:www.huahonggrace.com
公司地址:上海市张江高科技园区哈雷路288号
公司简介:公司是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。公司在半导体制造领域拥有多年的技术积累,长期坚持自主创新,不断研发并掌握了特色工艺的关键核心技术。公司的功率器件种类丰富度行业领先,拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET以及IGBT技术成果。公司的技术研发成果曾先后荣获“国家科学技术进步奖二等奖”、“上海市科学技术奖一等奖”、“上海市质量金奖”、“优秀院士工作站”及“上海知识产权创新奖(创造)”等奖项及荣誉。公司依靠卓越的特色工艺技术实力、稳定的产品性能和品质以及产能供给能力赢得了全球客户的广泛认可。公司代工产品性能优越、可靠性高,在新能源汽车、工业、通讯、消费电子等重要终端市场得到广泛应用。未来,公司将继续坚定不移地执行先进“特色IC+功率器件”的发展战略,持续提升产品性能和品质,深耕多元化的“特色IC”平台,不断创新器件结构、丰富拓展车规级工艺,持续保持领先的“功率器件”平台。公司