拓荆科技 发行债券产生的现金流量净额 : ¥ 1601 (2024年3月 TTM)
拓荆科技发行债券产生的现金流量净额(Net Issuance of Debt)的相关内容及计算方法如下:
发行债券产生的现金流量净额是指公司可以通过发行债务筹集现金,也可以使用现金偿还债务。如果该指标为正,则表示该公司从发行债务中获得的现金多于其偿还债务所支付的现金。如果该数字为负,则表示公司偿还债务所支付的现金比发行债务所获得的现金更多。
截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度 的 发行债券产生的现金流量净额 为 ¥ 568。 拓荆科技 最近12个月的 发行债券产生的现金流量净额 为 ¥ 1601。
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拓荆科技 发行债券产生的现金流量净额 (688072 发行债券产生的现金流量净额) 历史数据
拓荆科技 发行债券产生的现金流量净额的历史年度,季度/半年度走势如下:
拓荆科技 发行债券产生的现金流量净额 年度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2018-12 | 2019-12 | 2020-12 | 2021-12 | 2022-12 | 2023-12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
发行债券产生的现金流量净额 | -43.10 | -30.26 | - | - | 670.00 | 1332.75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
拓荆科技 发行债券产生的现金流量净额 季度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2021-12 | 2022-03 | 2022-06 | 2022-09 | 2022-12 | 2023-03 | 2023-06 | 2023-09 | 2023-12 | 2024-03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
发行债券产生的现金流量净额 | - | - | - | - | - | 300.00 | - | 307.06 | 725.68 | 568.27 |
拓荆科技 发行债券产生的现金流量净额 (688072 发行债券产生的现金流量净额) 解释说明
发行债券产生的现金流量净额是指公司可以通过发行债务筹集现金,也可以使用现金偿还债务。如果该指标为正,则表示该公司从发行债务中获得的现金多于其偿还债务所支付的现金。如果该数字为负,则表示公司偿还债务所支付的现金比发行债务所获得的现金更多。
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拓荆科技 (688072) 公司简介
一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。