拓荆科技 研发费用 : ¥ 643 (2024年3月 TTM)

* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技研发费用(Research & Development)的相关内容及计算方法如下:

研发费用是公司在研发上花费的费用。
截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度研发费用 为 ¥ 153。 拓荆科技 最近12个月的 研发费用 为 ¥ 643。

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拓荆科技 研发费用 (688072 研发费用) 历史数据

拓荆科技 研发费用的历史年度,季度/半年度走势如下:
拓荆科技 研发费用 年度数据
日期 2018-12 2019-12 2020-12 2021-12 2022-12 2023-12
研发费用 107.97 74.32 122.78 288.31 378.74 575.95
拓荆科技 研发费用 季度数据
日期 2021-12 2022-03 2022-06 2022-09 2022-12 2023-03 2023-06 2023-09 2023-12 2024-03
研发费用 158.75 46.87 70.65 103.30 157.92 86.03 124.05 143.94 221.92 153.21
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技 研发费用 (688072 研发费用) 解释说明

研发费用是公司在研发上花费的费用。如果一个公司的竞争优势是通过专利或技术优势创造的,那么这个优势一般会在将在某个时候消失。
高额的研发费用通常意味着高的 销售及行政开支

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拓荆科技 (688072) 公司简介

一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。