拓荆科技 每股总债务 : ¥ 13.75 (2024年3月 最新)
拓荆科技每股总债务(Total Debt per Share)的相关内容及计算方法如下:
每股总债务是债务总额除以 期末总股本 而得。债务总额由 短期借款和资本化租赁债务 加上 长期借款和资本化租赁债务 计算得出。 截至2024年3月, 拓荆科技 过去一季度 的 每股总债务 为 ¥ 13.75。
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拓荆科技 每股总债务 (688072 每股总债务) 历史数据
拓荆科技 每股总债务的历史年度,季度/半年度走势如下:
拓荆科技 每股总债务 年度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2018-12 | 2019-12 | 2020-12 | 2021-12 | 2022-12 | 2023-12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
每股总债务 | - | - | - | 0.01 | 3.60 | 10.74 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
拓荆科技 每股总债务 季度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2021-12 | 2022-03 | 2022-06 | 2022-09 | 2022-12 | 2023-03 | 2023-06 | 2023-09 | 2023-12 | 2024-03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
每股总债务 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 3.60 | 5.19 | 5.20 | 6.84 | 10.74 | 13.75 |
拓荆科技 每股总债务 (688072 每股总债务) 计算方法
截至2023年12月,拓荆科技过去一年的每股总债务为:
每股总债务 | = | ( 年度 长期借款和资本化租赁债务 | + | 年度 短期借款和资本化租赁债务 ) | / | 年度 期末总股本 |
= | (1873 | + | 137) | / | 187 | |
= | 10.74 |
截至2024年3月,拓荆科技 过去一季度 的每股总债务为:
每股总债务 | = | ( 季度 长期借款和资本化租赁债务 | + | 季度 短期借款和资本化租赁债务 ) | / | 季度 期末总股本 |
= | ( 2433 | + | 155) | / | 188 | |
= | 13.75 |
拓荆科技 每股总债务 (688072 每股总债务) 相关词条
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拓荆科技 (688072) 公司简介
一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。
二级行业:半导体
公司网站:www.sypiotech.cn
公司地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介:公司自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”,中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证,2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号,2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”,中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。