长期借款和资本化租赁债务／总资产％代表了公司通过超过一年贷款和的金融债务进行融资的资产占比。该比率衡量公司财务状况，包括其满足偿还未偿贷款要求的能力。它是由长期借款和资本化租赁债务除以该公司的资产总计而得。截至2024年3月， 拓荆科技 过去一季度长期借款和资本化租赁债务为 ¥ 2433，过去一季度资产总计为 ¥ 10928，所以 拓荆科技 过去一季度的 长期借款和资本化租赁债务／总资产％ 为 0.22。

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拓荆科技长期借款和资本化租赁债务／总资产％（688072 长期借款和资本化租赁债务／总资产％）历史数据

拓荆科技 长期借款和资本化租赁债务／总资产％的历史年度，季度/半年度走势如下：

拓荆科技长期借款和资本化租赁债务／总资产％年度数据
日期	2018-12	2019-12	2020-12	2021-12	2022-12	2023-12
长期借款和资本化租赁债务／总资产％	-	-	-	-	0.04	0.19

拓荆科技长期借款和资本化租赁债务／总资产％季度数据
日期	2021-12	2022-03	2022-06	2022-09	2022-12	2023-03	2023-06	2023-09	2023-12	2024-03
长期借款和资本化租赁债务／总资产％	-	-	-	-	0.04	0.07	0.07	0.10	0.19	0.22

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

在半导体仪器和材料（三级行业）中，拓荆科技 长期借款和资本化租赁债务／总资产％与其他类似公司的比较如下：

* 选自同一行业，市值最接近的公司；x轴代表市值，y轴代表长期借款和资本化租赁债务／总资产％数值；点越大，公司市值越大。

拓荆科技长期借款和资本化租赁债务／总资产％（688072 长期借款和资本化租赁债务／总资产％）分布区间

在半导体（二级行业）和科技（一级行业）中，拓荆科技 长期借款和资本化租赁债务／总资产％的分布区间如下：

* x轴代表长期借款和资本化租赁债务／总资产％数值，y轴代表落入该长期借款和资本化租赁债务／总资产％区间的公司数量；红色柱状图代表拓荆科技的长期借款和资本化租赁债务／总资产％所在的区间。

拓荆科技长期借款和资本化租赁债务／总资产％（688072 长期借款和资本化租赁债务／总资产％）计算方法

截至2023年12月，拓荆科技过去一年的长期借款和资本化租赁债务／总资产％为：

长期借款和资本化租赁债务／总资产％	=	年度长期借款和资本化租赁债务	/	年度资产总计
	=	1873	/	9969
	=	0.19

截至2024年3月，拓荆科技 过去一季度的长期借款和资本化租赁债务／总资产％为：

长期借款和资本化租赁债务／总资产％	=	季度长期借款和资本化租赁债务	/	季度资产总计
	=	2433	/	10928
	=	0.22

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

拓荆科技长期借款和资本化租赁债务／总资产％（688072 长期借款和资本化租赁债务／总资产％）解释说明

长期借款和资本化租赁债务／总资产％代表了公司通过超过一年贷款和的金融债务进行融资的资产占比。该比率衡量公司财务状况，包括其满足偿还未偿贷款要求的能力。若该比率同比去年同期下降，则表明该公司正逐渐降低其在发展业务时对债务的依赖程度。

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长期借款和资本化租赁债务

资产总计

资产有息负债率

拓荆科技（688072）公司简介

一级行业：科技
二级行业：半导体
公司网站：www.sypiotech.cn
公司地址：辽宁省沈阳市浑南区水家900号
公司简介：公司自设立以来立足自主创新，通过对薄膜沉积设备核心技术的构建，产品在实现薄膜性能参数的同时，满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。公司凭借长期技术研发和工艺积累，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。公司获得2017年辽宁省政府颁发的“辽宁省科学技术进步一等奖”，中国电子专用设备工业协会2016年度“中国半导体创新产品”认证，2019年国家知识产权局颁发的“国家知识产权示范企业”称号，2021年中国集成电路创新联盟颁发的“技术创新奖”，中国半导体行业协会颁发的2016年、2017年、2019年“中国半导体设备五强企业”称号。

拓荆科技 (SHSE:688072)

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