Transphorm Inc 资本公积 : $ 262.32 (2023年12月 最新)
Transphorm Inc资本公积(Additional Paid-In Capital)的相关内容及计算方法如下:
资本公积是指直接由资本原因形成的公积金,如超过票面价额发行股份所得的溢价额、公司财产重估增值、接受捐赠的资产价值等。公积金的用途为转增股本。但是资本公积金不得用于弥补公司的亏损。
截至2023年12月, Transphorm Inc 过去一季度 的 资本公积 为 $ 262.32。
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Transphorm Inc 资本公积 (TGAN 资本公积) 历史数据
Transphorm Inc 资本公积的历史年度,季度/半年度走势如下:
Transphorm Inc 资本公积 年度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2019-12 | 2020-12 | 2022-03 | 2023-03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
资本公积 | 22.40 | 142.74 | 211.19 | 230.27 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Transphorm Inc 资本公积 季度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2021-09 | 2021-12 | 2022-03 | 2022-06 | 2022-09 | 2022-12 | 2023-03 | 2023-06 | 2023-09 | 2023-12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
资本公积 | 150.84 | 210.84 | 211.19 | 227.51 | 228.18 | 229.95 | 230.27 | 247.03 | 255.25 | 262.32 |
Transphorm Inc 资本公积 (TGAN 资本公积) 解释说明
资本公积是指直接由资本原因形成的公积金,如超过票面价额发行股份所得的溢价额、公司财产重估增值、接受捐赠的资产价值等。公积金的用途为转增股本。但是资本公积金不得用于弥补公司的亏损。
资本公积可以通过( 发行价 - 票面价 )* 股数 计算而得。
Transphorm Inc 资本公积 (TGAN 资本公积) 相关词条
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Transphorm Inc (TGAN) 公司简介
一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:https://www.transphormusa.com
公司地址:75 Castilian Drive, Goleta, CA, USA, 93117
公司简介:Transphorm Inc 是一家半导体公司。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的GaN半导体。它生产符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的 GaN FET。其垂直整合的设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。
二级行业:半导体
公司网站:https://www.transphormusa.com
公司地址:75 Castilian Drive, Goleta, CA, USA, 93117
公司简介:Transphorm Inc 是一家半导体公司。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的GaN半导体。它生产符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的 GaN FET。其垂直整合的设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。