Transphorm Inc 资产有息负债率 : 0.07 (2023年12月 最新)
Transphorm Inc资产有息负债率(Debt-to-Asset)的相关内容及计算方法如下:
资产有息负债率是衡量公司的财务实力的指标。它是由公司的有息负债除以该公司的 资产总计 而得。截至2023年12月, Transphorm Inc 过去一季度 短期借款和资本化租赁债务 为 $ 0.37, 过去一季度 长期借款和资本化租赁债务 为 $ 2.00, 过去一季度 资产总计 为 $ 32.66, 所以 Transphorm Inc 过去一季度 的 资产有息负债率 为 0.07。
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Transphorm Inc 资产有息负债率 (TGAN 资产有息负债率) 历史数据
Transphorm Inc 资产有息负债率的历史年度,季度/半年度走势如下:
Transphorm Inc 资产有息负债率 年度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2019-12 | 2020-12 | 2022-03 | 2023-03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
资产有息负债率 | 4.06 | 1.60 | 0.25 | 0.34 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Transphorm Inc 资产有息负债率 季度数据 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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日期 | 2021-09 | 2021-12 | 2022-03 | 2022-06 | 2022-09 | 2022-12 | 2023-03 | 2023-06 | 2023-09 | 2023-12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
资产有息负债率 | 1.94 | 0.23 | 0.25 | 0.24 | 0.27 | 0.31 | 0.34 | 0.09 | 0.08 | 0.07 |
Transphorm Inc 资产有息负债率 (TGAN 资产有息负债率) 行业比较
在半导体仪器和材料(三级行业)中,Transphorm Inc 资产有息负债率与其他类似公司的比较如下:
Transphorm Inc 资产有息负债率 (TGAN 资产有息负债率) 分布区间
在半导体(二级行业)和科技(一级行业)中,Transphorm Inc 资产有息负债率的分布区间如下:
Transphorm Inc 资产有息负债率 (TGAN 资产有息负债率) 计算方法
资产有息负债率是衡量公司财务杠杆的重要指标之一。
截至2023年3月,Transphorm Inc过去一年的资产有息负债率为:
资产有息负债率 | = | 年度 总有息负债 | / | 年度 资产总计 | ||
= | (年度 短期借款和资本化租赁债务 | + | 年度 长期借款和资本化租赁债务 ) | / | 年度 资产总计 | |
= | (12.40 | + | 2.67) | / | 44.45 | |
= | 0.34 |
截至2023年12月,Transphorm Inc 过去一季度 的资产有息负债率为:
资产有息负债率 | = | 季度 总有息负债 | / | 季度 资产总计 | ||
= | ( 季度 短期借款和资本化租赁债务 | + | 季度 长期借款和资本化租赁债务 ) | / | 季度 资产总计 | |
= | (0.37 | + | 2.00) | / | 32.66 | |
= | 0.07 |
Transphorm Inc 资产有息负债率 (TGAN 资产有息负债率) 解释说明
Transphorm Inc 资产有息负债率 (TGAN 资产有息负债率) 相关词条
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Transphorm Inc (TGAN) 公司简介
一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:https://www.transphormusa.com
公司地址:75 Castilian Drive, Goleta, CA, USA, 93117
公司简介:Transphorm Inc 是一家半导体公司。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的GaN半导体。它生产符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的 GaN FET。其垂直整合的设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。
二级行业:半导体
公司网站:https://www.transphormusa.com
公司地址:75 Castilian Drive, Goleta, CA, USA, 93117
公司简介:Transphorm Inc 是一家半导体公司。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的GaN半导体。它生产符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的 GaN FET。其垂直整合的设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。