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江丰电子(SZSE:300666)

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参数详解

江丰电子 (SZSE:300666)

¥47.07 ▲+0.49( +1.05%)

2.97

市净率

53.4

市盈率

0.44

股息率％

¥124亿

总市值

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价值大师评分 : 0 /100

1月

3月

6月

今年

1年

3年

5年

10年

15年

全部

3年:0%

基本面概览

简要介绍

历史数据

行业比较

分布区间

计算方法

解释说明

相关词条

江丰电子 3年每股股利增长率％ : 18.70％ (今日)

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

江丰电子3年每股股利增长率％（3-Year Dividend Growth Rate (Per Share)）的相关内容及计算方法如下：

3年每股股利增长率％是公司提高股息的平均年增长率。根据最近四年的年度数据，以指数复合计算得出。截至今日， 江丰电子 的 3年每股股利增长率％ 为 18.70％。

江丰电子3年每股股利增长率％或其相关指标的历史排名和行业排名结果如下所示：

★ ★ ★ ★ ★

在过去十年内， 江丰电子的3年每股股利增长率％

最小值：18.7 中位数：27.8 最大值：36.9

当前值：18.7

★ ★ ★ ★ ★

在半导体内的 237 家公司中

江丰电子的3年每股股利增长率％ 排名低于同行业 51.90% 的公司。

当前值：18.7 行业中位数：19.9

截至2023年9月， 江丰电子 过去一季度的每股股息为 ¥ 0.00。 江丰电子 最近12个月的每股股息为 ¥ 0.21。

截至2023年9月， 江丰电子 过去一季度的股息支付率为 0.00。 江丰电子 过去一季度的股息率％为 0.33％。

安全信号

股利分红: 股息率％接近10年高点

江丰电子的股息率％接近10年高点。

江丰电子 1年每股股利增长率％为 112.40％。 江丰电子 3年每股股利增长率％为 18.70％。

在过去十年内， 江丰电子的 3年每股股利增长率％最大值为 36.90％，最小值为 18.70％，中位数为 27.80％。

在半导体仪器和材料（三级行业）中，江丰电子 3年每股股利增长率％与其他类似公司的比较如下：

* 选自同一行业，市值最接近的公司；x轴代表市值，y轴代表3年每股股利增长率％数值；点越大，公司市值越大。

江丰电子 3年每股股利增长率％（300666 3年每股股利增长率％）分布区间

在半导体（二级行业）和科技（一级行业）中，江丰电子 3年每股股利增长率％的分布区间如下：

* x轴代表3年每股股利增长率％数值，y轴代表落入该3年每股股利增长率％区间的公司数量；红色柱状图代表江丰电子的3年每股股利增长率％所在的区间。

江丰电子 3年每股股利增长率％（300666 3年每股股利增长率％）计算方法

3年每股股利增长率％是公司提高股息的平均年增长率。根据最近四年的年度数据，以指数复合计算得出。

江丰电子 3年每股股利增长率％（300666 3年每股股利增长率％）解释说明

1. 股息支付率又称“股利分配率”或“股利发放率”，是向股东分派的股息占公司盈利的比率。它反映公司的股利分配政策和股利支付能力。

截至2023年9月，江丰电子 过去一季度的股息支付率为：

股息支付率	=	季度每股股息	/	季度持续经营每股收益
	=	0.00	/	0.15
	=	0.00

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

2. 股息率％是过去12个月的股息与当前股价之间的比率。在投资实践中，股息率是衡量企业是否具有投资价值的重要标尺之一。

截至2023年9月，江丰电子 过去一季度的股息率％为：

股息率％	=	最近12个月每股股息	/	季度月末股价
	=	0.21	/	62.09
	=	0.33％

* 除每股数值，比率，百分比，其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

安全信号

股利分红: 股息率％接近10年高点

江丰电子的股息率％接近10年高点。

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股息支付率

5年成本股息率％

预期股息率％

5年每股股利增长率％

股息／营运现金流（FFO for REITs）

持续经营每股收益

稀释每股收益

江丰电子（300666）公司简介

一级行业：科技
二级行业：半导体
公司网站：www.kfmic.com
公司地址：浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
公司简介：公司自成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务，主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，这些产品主要应用于半导体(主要为超大规模集成电路领域)、平板显示、太阳能等领域。超高纯金属及溅射靶材是生产超大规模集成电路的关键材料之一，公司的超高纯金属溅射靶材产品已应用于世界著名半导体厂商的最先端制造工艺，在16纳米技术节点实现批量供货，同时还满足了国内厂商28纳米技术节点的量产需求。