Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 : -9.18 (今日)

* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

Transphorm Inc企业价值/息税前利润(EV-to-EBIT)的相关内容及计算方法如下:

企业价值/息税前利润 由 企业价值 除以该公司 最近12个月 的 息税前利润 而得。截至今日, Transphorm Inc 的 企业价值 为 $ 304.468, 最近12个月 息税前利润 为 $ -33.18,所以 Transphorm Inc 今日的 企业价值/息税前利润 为 -9.18。

Transphorm Inc企业价值/息税前利润或其相关指标的历史排名和行业排名结果如下所示:

在过去十年内, Transphorm Inc企业价值/息税前利润
最小值:-124.13  中位数:-11.36  最大值:-3.85
当前值:-9.18
Transphorm Inc企业价值/息税前利润没有参与排名。
乔尔·格林布拉特(Joel Greenblatt)称企业价值/息税前利润的倒数为 乔尔·格林布拉特收益率 % 。 截至2023年12月, Transphorm Inc 过去一季度 企业价值 为 $ 225.08, 最近12个月 息税前利润 为 $ -33.18,所以 Transphorm Inc 过去一季度 乔尔·格林布拉特收益率 % 为 -14.75%。

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Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 (TGAN 企业价值/息税前利润) 历史数据

Transphorm Inc 企业价值/息税前利润的历史年度,季度/半年度走势如下:
Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 年度数据
日期 2019-12 2020-12 2022-03 2023-03
企业价值/息税前利润 - -10.85 -37.71 -7.61
Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 季度数据
日期 2021-09 2021-12 2022-03 2022-06 2022-09 2022-12 2023-03 2023-06 2023-09 2023-12
企业价值/息税前利润 -18.52 -35.98 -37.71 -24.27 -13.48 -11.56 -7.61 -6.27 -4.01 -6.78
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

半导体仪器和材料(三级行业)中,Transphorm Inc 企业价值/息税前利润与其他类似公司的比较如下:
* 选自同一行业,市值最接近的公司;x轴代表市值,y轴代表企业价值/息税前利润数值;点越大,公司市值越大。

Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 (TGAN 企业价值/息税前利润) 分布区间

半导体(二级行业)和科技(一级行业)中,Transphorm Inc 企业价值/息税前利润的分布区间如下:
* x轴代表企业价值/息税前利润数值,y轴代表落入该企业价值/息税前利润区间的公司数量;红色柱状图代表Transphorm Inc的企业价值/息税前利润所在的区间。

Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 (TGAN 企业价值/息税前利润) 计算方法

企业价值/息税前利润是由企业价值除以最近12个月的 息税前利润 而得。
截至今日Transphorm Inc企业价值/息税前利润为:
企业价值/息税前利润 = 今日 企业价值 / 最近12个月 息税前利润
= 304.468 / -33.18
= -9.18
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

Transphorm Inc 企业价值/息税前利润 (TGAN 企业价值/息税前利润) 解释说明

乔尔·格林布拉特(Joel Greenblatt)称企业价值/息税前利润的倒数为 乔尔·格林布拉特收益率 %
截至2023年12月Transphorm Inc 过去一季度 乔尔·格林布拉特收益率 % 为:
乔尔·格林布拉特收益率 % = 最近12个月 息税前利润 / 季度 企业价值
= -33.18 / 225.08
= -14.75%
* 除每股数值,比率,百分比,其他数据单位均为百万。数据的货币单位均为当地股票的交易货币单位。

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Transphorm Inc (TGAN) 公司简介

一级行业:科技
二级行业:半导体
公司网站:https://www.transphormusa.com
公司地址:75 Castilian Drive, Goleta, CA, USA, 93117
公司简介:Transphorm Inc 是一家半导体公司。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的GaN半导体。它生产符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的 GaN FET。其垂直整合的设备业务模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持。